LUV2321 광전자 칩 DIE 레이저 마킹 지능형 장비
가격문의(상세정보 참조)
LUV2321 단일 광전자 웨이퍼 상의 미세 DIE 마킹을 위해 특화 설계된 본 시스템은 정밀 포지셔닝 기술과 청정 무분진 공정을 기반으로 초미세·고선명 마킹을 구현합니다. 웨이퍼 전면 및 후면 마킹을 모두 지원하며, 고정밀도와 높은 처리량을 동시에 확보하여 광전자 반도체 DIE 공정의 이력 추적성 요구를 충족합니다.
주요 특징
/ 150μm 초미세 문자 마킹: 최소 50μm 크기의 문자까지 고선명 마킹이 가능하여 우수한 식별성을 제공합니다.
/ 10μm 초고정밀: ±10μm의 포지셔닝 및 마킹 정밀도를 구현하여 정확하고 일관된 마킹 위치를 확보합니다.
/ 초청정 마킹: 파티클 및 분진 발생이 없으며, 웨이퍼 오염을 방지하는 청정 마킹 공정을 제공합니다.
/ 높은 공정 적응성: 웨이퍼 전면 및 후면 마킹을 지원하며, 다양한 공정 환경에 폭넓게 적용 가능합니다.
| 구분 | 항목 | 주요 기술 파라미터 |
|---|---|---|
| 주요 파라미터 | 장비 모델 | LUV2321 |
| 광원 | 녹색광/자외선; 나노초 / 피코초 | |
| 로딩/언로딩 방식 | 전자동 / 수동 | |
| 가공 성능 | 가공 소재 | InP, GaAs, Si, SOI, LiNbO₃, 사파이어, 유리 등 |
| 마킹 정밀도 | ≤ ±10 μm | |
| 마킹 깊이 | 0~5 μm | |
| 최소 문자 높이 | 50 μm |
샘플
주요 특징
/ 150μm 초미세 문자 마킹: 최소 50μm 크기의 문자까지 고선명 마킹이 가능하여 우수한 식별성을 제공합니다.
/ 10μm 초고정밀: ±10μm의 포지셔닝 및 마킹 정밀도를 구현하여 정확하고 일관된 마킹 위치를 확보합니다.
/ 초청정 마킹: 파티클 및 분진 발생이 없으며, 웨이퍼 오염을 방지하는 청정 마킹 공정을 제공합니다.
/ 높은 공정 적응성: 웨이퍼 전면 및 후면 마킹을 지원하며, 다양한 공정 환경에 폭넓게 적용 가능합니다.
| 구분 | 항목 | 주요 기술 파라미터 |
|---|---|---|
| 주요 파라미터 | 장비 모델 | LUV2321 |
| 광원 | 녹색광/자외선; 나노초 / 피코초 | |
| 로딩/언로딩 방식 | 전자동 / 수동 | |
| 가공 성능 | 가공 소재 | InP, GaAs, Si, SOI, LiNbO₃, 사파이어, 유리 등 |
| 마킹 정밀도 | ≤ ±10 μm | |
| 마킹 깊이 | 0~5 μm | |
| 최소 문자 높이 | 50 μm |
샘플
hyunmee@hglaser.com 
영업시간 : 평일 09:00 ~ 17:30
